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壓阻效應是用來描述材料在受到機械式應力下所產(chǎn)生的電阻變化。不同于壓電效應，壓阻效應只產(chǎn)生阻抗變化，并不會產(chǎn)生電荷。大多數(shù)金屬材料與半導體材料都被發(fā)現(xiàn)具有壓阻效應。由于硅是現(xiàn)今集成電路的主要材料，以硅制作而成的壓阻元件的應用就變得非常有意義。電阻變化不單是來自與應力有關(guān)的幾何形變，而且也來自材料本身與應力相關(guān)的電阻，這使得其程度因子大于金屬數(shù)百倍之多。

壓阻壓力傳感器一般通過引線接入惠斯登電橋中。平時敏感芯體沒有外加壓力作用，電橋處于平衡狀態(tài)（稱為零位），當傳感器受壓后芯片電阻發(fā)生變化，電橋?qū)⑹テ胶狻Ｈ艚o電橋加一個恒定電流或電壓電源，電橋?qū)⑤敵雠c壓力對應的電壓信號，這樣傳感器的電阻變化通過電橋轉(zhuǎn)換成壓力信號輸出。電橋檢測出電阻值的變化，經(jīng)過放大后，再經(jīng)過電壓電流的轉(zhuǎn)換，變換成相應的電流信號，該電流信號通過非線性校正環(huán)路的補償，即產(chǎn)生了與輸入電壓成線性對應關(guān)系的4～20m出信

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